得dé到的de硅氧化物層上shàng面涂敷一yī種光阻(Photoresist)物質 ， 紫外線通tōng過印制著CPU復雜電路結構圖樣的de模板照射硅基片 ， 被紫外線照射的de地方光阻物質溶解 。而為了避免讓不需要yào被曝光的de區域也受到光的de干擾 ， 必須制作遮罩來遮蔽這些區域 。這是個gè相當復雜的de過程 ， 每一yī個gè遮罩的de復雜程度得dé用10GB數據jù來描述 。
（4）
這是CPU生產過程中zhōng重要yào操作 ， 也是CPU工gōng業中zhōng的de重頭技術shù 。蝕刻kè技術shù把對光的de應用推向了極限 。蝕刻kè使用的de是波長很短的de紫外光并配合很大的de鏡頭 。短波長的de光將透過這些石英遮罩的de孔照在光敏抗蝕膜上shàng ， 使之曝光 。接下來停止光照并移除遮罩 ， 使用特定的de化學溶液清洗掉被曝光的de光敏抗蝕膜 ， 以及在下面緊貼著抗蝕膜的de一yī層硅 。
然后 ， 曝光的de硅將被原子轟擊 ， 使得dé暴露的de硅基片局部摻雜 ， 從而改gǎi變這些區域的de導電狀態 ， 以制造出N井或P井 ， 結合上shàng面制造的de基片 ， CPU的de門電路就完成chéng了 。
（5）
為加工gōng新的de一yī層電路 ， 再次生長硅氧化物 ， 然后沉積一yī層多duō晶硅 ， 涂敷光阻物質 ， 重復影印、蝕

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