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【什么是閃存和內存手機8256是什么意思華為官方一圖讓你看懂】大家在日常使用手機時,經常會聽到“存儲”這個詞,保存照片和視頻、接收數據、下載App等等 。諸多手機應用場景都和存儲息息相關 。同時存儲也成為我們選購手機時的重要衡量指標,4/8GB、128/256GB等不同存儲容量對手機的使用體驗影響很大 。由此可見,存儲器對于手機而言十分重要,那么什么是存儲器呢?你知道它有哪些種類嗎?
下面讓華為麒麟帶你一圖看懂存儲器!

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RAM :隨機存取存儲器( andom Access Memory ),即手機中的內存,是芯片中與 CPU 直接交換數據的存儲器 。
RAM 屬于易失性存儲器,即一旦斷電所存儲的數據將全部丟失 。RAM 的優點是可以隨時讀寫,同時讀寫速度很快,通常用來暫存正在運行的程序和臨時數據 。

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NAND :NAND Flash 即手機中的閃存,它屬于非易失性存儲器,斷電后,其存儲的數據不會丟失 。NAND Flash 存儲器具有容量較大、體積較小、改寫速度快等優點 , 它是移動數碼產品存儲的理想介質 , 在業內有廣泛的應用,包括手機、相機、隨身攜帶的 U 盤等 。手機參數中的256GB、512GB指的就是手機中的閃存大小 。

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DRAM :動態隨機存取存儲器( Dynamic Random Access Mem -ory )是 RAM 中的一種,當斷掉電源后 , 所存儲的數據將全部丟失 。由于晶體管會出現漏電的情況 , 導致 DRAM 儲存電荷的時間非常短暫 , 所以 DRAM 需要周期性地充電來進行刷新 , 因此 DRAM 的速度不如 SRAM 快 , 但 DRAM 的優點是存儲單元的結構簡單,集成度高,功耗低,所以已成為大容量 RAM 中的主流 。比如手機參數中的4GB、8GB指的就是內存 。

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SRAM:靜態隨機存取存儲器( Static Random - Access Memo -ry )是 RAM 的另一種 。SRAM 與 DRAM 不同,不需要周期性進行更新,只要保持通電,里面儲存的數據就可以恒常保持 。但是,當斷電時,SRAM 儲存的數據還是會消失 。SRAM 的優點是讀寫速度快、使用簡單、無需周期性刷新、靜態功耗極低 , 但是 SRAM 所需的元件數多、集成度低、運行功耗大 , 同時制造成本高 。

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3D DRAM:隨著芯片尺寸的不斷微縮 , DRAM 工藝的微縮變得越來越困難,平面 DRAM 的“摩爾定律”( Moore ' s Law )正在逐漸走向極限,當今各大廠商都在研究3D DRAM 作為解決方案來延續 DRAM 的使用 。3D DRAM 是一種將存儲單元堆疊至邏輯單元上方的新型存儲方式 , 它可以實現單位面積上更高的容量 。

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