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可實(shí)現(xiàn)非破壞性讀取操作的FeRAM材料

【可實(shí)現(xiàn)非破壞性讀取操作的FeRAM材料】在人們尋找非易失性存儲(chǔ)器的替代技術(shù)的時(shí)候 , 將信息存儲(chǔ)在一個(gè)鐵電層上的FeRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一個(gè)很有希望的候選對(duì)象 。就功耗和耐用度而言 , FeRAM類材料的性能超過大多數(shù)其他非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),但對(duì)目前的FeRAM類材料來說,其讀取操作是破壞性的,而且其可擴(kuò)展性較差(原因是它們采用的是電容讀出),因而它們的應(yīng)用受到了限制 。Bibes等人發(fā)現(xiàn) , 利用置于強(qiáng)張力下的一個(gè)鈦酸鋇薄層,仍能檢測(cè)到巨大的電阻 , 即使是在這樣薄的樣本中 。這使得檢測(cè)穿過該薄層的隧道電流、從而讀出材料的極化狀態(tài)、并且在此過程中不會(huì)破壞該材料成為可能 。位元的物理大小可以按比例縮小到能使這些器件達(dá)到很高密度(每平方英寸約25Gb)的程度 。

作者:田天
來源:科學(xué)時(shí)報(bào)